CMP漿料

特點(diǎn)

. 金屬離子含量極低 單分散體系，粒徑分布均勻

.產(chǎn)品各批次間品質(zhì)**性高

.可自由控制粒子大小及形貌

.分散穩(wěn)定，不易凝聚、沉降

.速率高，無(wú)結(jié)晶，易清先

.表面質(zhì)基好，周環(huán)能力強(qiáng)

選型品

.藍(lán)寶石:SPS 不銹鋼:SLPS
.鋁臺(tái)金:AAPS
.硅片:SSPS
.砷化鎵:GAPS
.硬盤:DPS

.人工體:ALPS

.陶瓷:CPS

藍(lán)寶石晶體(α-A12O3)是一種耐高溫、耐磨損、抗腐蝕和透光波段寬的優(yōu)質(zhì)光功能材料，它具有與Ⅲ族氮化物相同的六方密堆積型，是由物理、機(jī)械和化學(xué)特性三者獨(dú)特組合的優(yōu)良材料。

在光通信領(lǐng)域，藍(lán)寶石晶體不僅用作短波長(zhǎng)有源器件，還用作偏振光的無(wú)源器件在微電子領(lǐng)域，藍(lán)寶石可以作為新一代半導(dǎo)體襯底SOI(絕緣層上)的襯底，由于藍(lán)寶石優(yōu)良的阻擋作用，能夠減小晶體管的電容效應(yīng)，其運(yùn)算速度可變得更快，功耗變得更低。在光電子領(lǐng)域，藍(lán)寶石晶體是制造GaN發(fā)光二極管(LED)的**襯底材料。在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)薄膜之前，首先要去除切片時(shí)產(chǎn)生的劃傷、凹坑、應(yīng)力區(qū)等，然后要降低表面粗糙度。表面的粗糙度越大，表面的懸掛鍵越多，越容易吸附其他雜質(zhì)，并且與上面的薄膜有較差的晶格匹配。

傳統(tǒng)的純機(jī)械拋光是用拋光粉不斷地研磨被拋光材料的表面，容易產(chǎn)生較深的劃傷。而CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）是在化學(xué)作用的環(huán)境下，通過(guò)機(jī)械作用將化學(xué)反應(yīng)物去除掉，提高了材料的去除速率，同時(shí)也得到良好的表面形態(tài)。

目前常用的CMP為二氧化硅硅溶膠，它是一種硬而脆的陶瓷材料，其表面化學(xué)活性很低。SiO2水溶膠是雙電子層結(jié)構(gòu)，外層電子顯負(fù)電荷，由凝聚法制備的膠體SiO2粒子表面富含硅羥基，研究還發(fā)現(xiàn)采用凝聚法制備的硅溶膠內(nèi)部也富含有硅羥基，正是這個(gè)特點(diǎn)，使得凝聚法制備的SiO2膠體黏度小，硬度適中，無(wú)棱角，在CMP時(shí)不會(huì)產(chǎn)生劃傷。