配置

測試范圍

測試參數

條件

范圍

電壓1000V

IGBT

絕緣柵極雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V~4500V

20V~100V±3%±1V

100V~1000V±3%±5V

1000V~4500V±3%±10V

電流200A

MOSFETS

MOS場效應管

EAR/重復脈沖雪崩能量

IC

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA

100mA~2A±3%±**

2A~200A±3%±50mA

DIODES

二極管

IAS/脈沖雪崩電流

PAS/單脈沖雪崩功率

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J

100J~500J±3%±5J

500J~2000J±3%±10J

IC(檢測）

50mV/A(取決于傳感器）

感性負載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

重復間隙時間

1~60s可調（進步is）重復次數：1~50次