控制柵極電壓VGS的大小改變了電場(chǎng)的強(qiáng)弱,就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的,這也是MOS管用電場(chǎng)來控制電流的一個(gè)重要特點(diǎn),所以也稱之為場(chǎng)效應(yīng)管。
MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同,N溝道的類似NPN晶體三極管,漏極D接正極,源極S接負(fù)極,柵極G正電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立,N溝道MOS管開始工作。

同樣P道的類似PNP晶體三極管,漏極D接負(fù)極,源極S接正極,柵極G負(fù)電壓時(shí),導(dǎo)電溝道建立,P溝道MOS管開始工作。

MOS管和晶體三極管相比的重要特性

1)場(chǎng)效應(yīng)管的源極S,柵極G,漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,基極b,集電極c,它們的作用相似。

2)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,由VGS控制ID,普通的晶體三極管是電流控制電流器件,由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是(跨導(dǎo)gm)當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)(貝塔β)當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。

3)場(chǎng)效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的,不產(chǎn)生電流;而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。

4)場(chǎng)效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電;三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電,因少數(shù)載流子濃度受溫度,輻射等因素影響較大,所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。

5)場(chǎng)效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時(shí),源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大,而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí),其特性差異很大,b值將減小很多。

6)場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。

7)場(chǎng)效應(yīng)管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路,但是場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝簡(jiǎn)單,并且又具有普通晶體三極管不能比擬的較好特性,在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管,目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,已經(jīng)廣泛的采用場(chǎng)效應(yīng)管。

6,在開關(guān)電源電路中,大功率MOS管和大功率晶體三極管相比MOS管的優(yōu)點(diǎn)